2012年，在金融都市-上海，数位行业精英共襄盛举，立志做中国优质的金属材料供应商，成立了上海锦町新材料科技有限公司。
我们的愿景：致力于做以客户需求为导向的整条制造供应链上的解决方案的系统供应商.针对特殊应用及个性化构件共同制定解决方案，从而选择合适的材料并确定订制原材料组合及制造流程。
我们提供金属加工领域的一站式技能知识服务，冲压，CNC DIECASTING,电镀，焊接。
通过资源整合与共享，公司为众多知名汽车电子连接器,传感器,继电器，控制器等生产商提供各种高性能铜合金，配套分条加工，异型材加工，表面处理，角料回收等一站式服务，同时联合知名高校进行新材料应用研发，为新兴产业的智造升级提供整体解决方案,公司拥有的“高.精.专”服务团队，以“匠心智造,你我同行”为宗旨, 以市场需求为导向,深入行业把握产品，为企业以及行业前沿企业提供价值产品和服务。
公司生产的材料有异型铜带、异形铜带、U形铜带、凹形铜带、CuFe10（CFA90）、CuFe5（CFA95）、C50710(CuSn2Ni0.3P/MF202)、C50715(CuSn2Fe0.1P/KLF5)、C15100(CuZr0.1)、C19010(CuNiSi/STOL76)、C18080(CuCrAgFeTiSi)、C18070(CuCrSiTi)、C18400/C18150(CuCrZr)、C14415(CuSn0.15/C14410)、C19400（CuFe2P）、C51100（CuSn4）、C70250(CuNi3Si)、C10300(SE-Cu/Cu-HCP（IACS 98%）T1、C10300(SE-Cu/Cu-PHC(IACS 100)/T1、C11000(E-Cu/Cu-ETP/C1100/T2)、C72700（CuNi9Sn6）、C72900（CuNi15Sn8）、Cu-01S、Cu01、FeNi42、C64775（C7025-Sn）、C12000(SW-Cu/Cu-DLP)/C1201/TP1、C12200(SF-Cu/Cu-DHP)/C1220/TP2、C10100(OF-Cu/Cu-OFE)/C1011/TU2、C51100(CuSn4/C5110)、C51000(CuSn5/C5100)、C19002(CuNiSi)、C70260(CuNi2Si)、C19040(CuSn1.2Ni0.8P0.07/CAC5)、C19025(NB109)、C26000(CuZn30/C2600)、C26800(CuZn33/C2680)、C27200(CuZn37/C2720)
材料介绍
C19010(CuNiSiP)
标准
化学成分
物理特性
物理性能
材料应用
连接器、弹簧、开关、继电器、引线框架
电镀服务(材料+电镀)
分条服务
行业相关信息
6月7日，推动节能创新的安森美半导体（ON Semiconductor）宣布推出一对1200 V全碳化硅（SiC）MOSFET 2-PACK模块，进一步增强其产品系列，从而适应充满挑战的电动汽车（EV）市场。
随着电动汽车销量持续增长，基础设施需要不断完善以满足驾驶员需求，如提供快速充电站网络，从而使汽车可以快速完成行程，且不会有“里程焦虑”。随着这种需求不断发展，对于充电功率超过350 kW，效率超过95%的要求也成为“常态”。由于部署充电桩的环境和地点多样，设计人员面临着多种挑战，包括紧凑型、稳健性和增强的可靠性。
全新1200V M1全碳化硅MOSFET 2-PACK模块基于平面技术打造，适用的驱动电压为18-20 V，且易于使用栅极负电压进行驱动。与沟槽型MOSFET相比，较大的裸芯片可降低热阻，从而在相同工作温度下降低裸芯片温度。
NXH010P120MNF1配置为2-PACK半桥架构，是采用F1封装的10 mohm器件，而NXH006P120MNF2是采用F2封装的6 mohm器件。这些封装采用压接式引脚，非常适合工业应用，此外还采用嵌入式负温度系数（NTC）热敏电阻，有助于温度监控。
作为安森美半导体电动汽车充电生态系统的一部分，全新碳化硅MOSFET模块旨在与驱动器解决方案（如NCD5700x器件）一起使用。最近推出的NCD57252双通道隔离式IGBT/MOSFET栅极驱动器提供5 kV的电流隔离，可配置为双下桥、双上桥或半桥工作。
NCD57252采用小型SOIC-16宽体封装，接受逻辑电平输入（3.3 V、5 V和15 V）。由于典型传播延迟为60ns，该高电流器件（在米勒平台电压下，源电流为4.0 A/灌电流为6.0 A）适合高速工作。
安森美半导体的碳化硅MOSFET与全新模块和栅极驱动器形成互补。与类似的硅器件相比，该碳化硅MOSFE可提供卓越的开关性能和增强的散热性能，从而以提高效率和功率密度、改善电磁干扰（EMI）、并减小系统尺寸和减少重量。
最近发布的650 V碳化硅MOSFET采用新颖的有源单元设计，结合先进的薄晶圆技术，可为（RDS(on)*area）提供一流的品质因数（FoM）。NVBG015N065SC1、NTBG015N065SC1、NVH4L015N065SC1和NTH4L015N065SC等系列器件可为D2PAK7L / TO247封装的MOSFET提供市场上最低的RDS(on)。
1200 V和900 V N通道碳化硅MOSFET芯片尺寸较小，可降低器件电容和栅极电荷（Qg –低至220 nC），从而降低电动车充电桩所需高频工作的开关损耗。
来源：
上海锦町新材料科技有限公司
